恩特龍Microx-223氧分析儀

技術亮點：氧化鋯傳感器的天然優(yōu)勢

抗干擾能力強
LT氧化鋯傳感器通過氧氣與燃料電池內(nèi)部的鉑合金催化劑發(fā)生電化學反應生成電流信號，僅對氧氣敏感，可屏蔽水蒸氣、氫氣、硫化氫等工藝副產(chǎn)物的干擾。在半導體增材制造（AM）中，構建室需充滿惰性氣體（如氬氣或氮氣），Microx-223能精準監(jiān)測氧含量，防止金屬粉末氧化導致焊縫變脆或部件失效，同時避免粉末燃燒風險。

快速響應與高精度
T90響應時間＜10秒，可實時捕捉氧分壓的瞬時變化。在RTP（快速熱退火）或RTA（快速熱退火）工藝中，氧含量波動會直接影響材料性質，Microx-223通過快速響應將波動范圍控制在±0.1%以內(nèi)，確保氧化膜厚度均勻性。其測量精度為讀數(shù)的±2%（20°C條件下），滿足半導體工藝對ppm級微量氧的監(jiān)測需求。

長壽命與低維護
傳感器壽命達3-5年，遠超傳統(tǒng)電化學傳感器（平均6-12個月）。其設計無需定期校準，僅需根據(jù)使用情況定期更換傳感器和消耗品，顯著降低維護成本。在壓力真空烤箱中，Microx-223可連續(xù)運行18個月以上，信號衰減率低于1%，而傳統(tǒng)傳感器在相同環(huán)境下僅能維持3個月。

應用場景：半導體工藝的全流程覆蓋

退火爐與氧化工藝
在RTP或立式退火爐中，氧含量是控制氧化膜質量的關鍵參數(shù)。Microx-223通過導軌式安裝于氣體出口或取樣點，實時監(jiān)測爐內(nèi)氧含量，并將數(shù)據(jù)通過4-20mA信號或RS-232/485通訊協(xié)議傳輸至控制系統(tǒng)。當氧含量超過預設閾值時，系統(tǒng)自動觸發(fā)警報并調(diào)整工藝參數(shù)，確保氧化膜厚度偏差從±3%降至±0.5%，晶圓良率提升12%。

壓力真空烤箱與惰性烘箱
在IC封裝、覆晶等工藝中，壓力烤箱需嚴格控制氧含量以防止水汽膨脹導致芯片失效。Microx-223可監(jiān)測烤箱內(nèi)氧含量，并通過控制系統(tǒng)生成歷史數(shù)據(jù)報表或趨勢圖，幫助操作人員分析氧含量變化趨勢，優(yōu)化工藝穩(wěn)定性。其M18x1.5螺紋過程接口（可選KF40法蘭）和IP65防護等級，適應烤箱內(nèi)的高溫、高濕環(huán)境。

增材制造（3D金屬打?。?/strong>
AM工藝中，構建室需充滿惰性氣體以防止金屬粉末氧化。Microx-223可集成于DIN導軌柜中，實時監(jiān)測氧含量，確保粉末篩分設備中氧氣的ppm水平，從而在顆粒上產(chǎn)生適量的鈍化層，防止打印過程中金屬結構氧化導致零件失效。

恩特龍Microx-223氧分析儀